臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節點將依賴其第二代全環繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術提供進一步的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入量產，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本。“A14 是我們的全節點下一代先進芯片技術，”臺積電業務發展和全球銷售高級副總
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臺積電 1.4nm GAA 晶體管
新興半導體公司 Rapidus 計劃在未來幾年大幅擴大其 2nm 研發力度，因為它看到了科技巨頭的巨大興趣。Rapidus 的 2nm 工藝采用 BSPDN 和 GAA 技術，使其成為業內獨一無二的實現。半導體供應鏈長期以來一直被臺積電等公司主導，而英特爾和三星代工廠等競爭對手也在努力鞏固自己的市場份額，因此還有很長的路要走。不過，據說日本領先的芯片制造公司
Rapidus 已加入尖端節點的競爭，據DigiTimes報道，該公司已經在日本北海道開發了一個專用設施，以盡快進入量產階段。據稱，Rapidu
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日本半導體 Rapidus 2nm工藝 量產 BSPDN GAA
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。Cascode簡介碳化硅結型場效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術具有一些顯著的優勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱為RDS.A）。為了實現最低的RDS.A，需要權衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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cascode FET SiC
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產品組合新增12款新器件。本次產品發布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業內少有、同時提供級聯型或D-mode和E-mode器件的供應商，為設計人員在應對設計過程中的不同挑戰提供了更多便捷性。Nexperia
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Nexperia GaN FET
本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉換器，探討如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉換器導通時緩沖輸出整流器的電壓。現在，我們看一下如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉換器功率級和初級 MOSFET 電壓波形。該轉換器的工作原理是將能量存儲在變壓器的初級電感中，并在 MOSFET 關斷時將能量釋放到次級電感。圖 1. 漏電感會在 FET 關斷時產生過高電壓當 MOSFET 關斷時，通常需要一個緩沖器，因為變壓器的漏電感會導
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FET 反激式轉換器
電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設備的可靠性，雙脈沖測試（DPT）已發展成為一種行業標準技術，用于測量開啟、關閉和反向恢復期的一系列重要參數。雙脈沖測試系統包括示波
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202411 寬禁帶 FET 測試
三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續重新定義可穿戴技術的極限。這款最新型號承襲了其前身產品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細的技術分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內部結構的深入分析，我們將揭示這款設備在智能手表領域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 處理器 3nm GAA
碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙 碳化硅 光伏
美中貿易戰沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產業，針對最新的環繞閘極場效晶體管（GAA）技術祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術，臺積電則從2納米
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GAA 臺積電 三星
D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現優越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調制器和兩個半橋功率級子板，實現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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GaN FET D類音頻放大器
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。圖 1 顯示了關斷時的發散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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氮化鎵 FET
全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
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EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅動它，這樣就必須增加一個柵極
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自主駕駛 LiDAR GaN FET
最新報道，三星的3nm GAA生產工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產計劃，還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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三星 Exynos 芯片 3nm GAA
2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
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